2007年3月20日，IXYS公司正式推出低電壓大電流采用絕緣封裝的MOSFET，電壓從55V到100V，有極低損耗和極低的Rds(on)，這是IXYS公司不斷豐富的針對(duì)低電壓，大電流功率變換的應(yīng)用的產(chǎn)品之一。

    新的大電流MOSFET采用了IXYS專(zhuān)利的ISOPLUS封裝工藝！這種ISOPLUS i5-Pak封裝的 大電流MOSFET特點(diǎn)是導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗極低，有硬開(kāi)關(guān)需要的雪崩額定值。這一系列采用ISOPLUS i5-Pak 封裝的MOSFET集成了兩個(gè)大電流MOSFET芯片，是高可靠性，高大電流處理能力的絕緣封裝的產(chǎn)品。傳統(tǒng)的分立器件的封裝的電流處力能力基本上都是局限在75A以下，這大大低于其內(nèi)部的晶片的電流處力能力。而IXYS的ISOPLUS i5-Pak封裝就是為克服這一難點(diǎn)設(shè)計(jì)的，它結(jié)合了非常好的絕緣，散熱能力和高功率循環(huán)能力等優(yōu)點(diǎn)。同時(shí)可以靈活地把不同拓樸結(jié)構(gòu)封裝于其中。以這系列的大電流MOSFET為例，該產(chǎn)品有5個(gè)管腳。集成了并聯(lián)的兩個(gè)MOSFET，以?xún)蓚�(gè)內(nèi)部相聯(lián)的管腳作輸出，使該封裝的電流處理能力高達(dá)150A，大大超出傳統(tǒng)封裝電流處理能力的極限！

    所有IXYS的ISOPLUS封裝均采用直接銅焊（DCB）技術(shù)作內(nèi)部絕緣(該技術(shù)一般只應(yīng)用于功率模塊)，并且已取得UL認(rèn)證。其中：IXTL2X240N055T，是55V的，Rds(on)僅0.0044歐姆，Rth(jc)僅1.0 k/w  ，IXTL2X18N10T 100V Rds(on)僅0.0074歐姆，Rth(jc)僅1.0 k/w,這些產(chǎn)品能為電動(dòng)汽車(chē)， 電動(dòng)叉車(chē)， 電動(dòng)摩托車(chē)，高爾夫球車(chē)等高功率，低電壓的應(yīng)用提供獨(dú)特的高性?xún)r(jià)比的器件方案。